研究業績Achievements

2020

論文

  • Dispersing InP nanocrystals in nano-polycrystalline diamond during the direct conversion from graphite Rei Fukuta, Naoya Yamamoto, Yohei Murakami, Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune Materials Transactions, In Press, 2020.
  • Outermost AlGaOx native oxide as a protection layer for GaAs/AlGaAs core-multishell nanowires Rikuo Tsutsumi, Naoki Tsuda, Bin Zhang, Weimin Chen, Irina Buyanova, Fumitaro Ishikawa Applied Physics Express, 13, 075003-1-4, 2020.doi:10.35848/1882-0786/ab9874.
  • Effects of thermal annealing on localization and strain in core/multishell GaAs/GaNAs/GaAs nanowires Roman M. Balagula, Mattias Jansson, Mitsuki Yukimune, Jan E. Stehr, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova Scientific Reports, 10,8216-1-9, 2020.doi:10.1038/s41598-020-64958-6.
  • Coherent strain evolution at the initial growth stage of AlN on SiC(0001) proved by in situ synchrotron X-ray diffraction Hidetoshi Suzuki, Fumitaro Ishikawa, Takuo Sasaki, Masamitu Takahasi Applied Physics Express, 13, 055501-1-5, 2020.doi:10.35848/1882-0786/ab84bf.
  • Deep-ultraviolet near band-edge emissions from nano-polycrystalline diamond Ryota Ishii, Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami High Pressure Research, 40, 140-147, 2020.doi:10.1080/08957959.2019.1702658.

国際会議

  • (Accepted) Molecular beam epitaxial growth of GaAs1-xBix at low temperatures Yoriko Tominaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2020, May 2020, Stockholm (Conference canceled).
  • (Accepted) Semiconductor photocathode with AlGaAs/GaAs superlattice structures grown by molecular beam epitaxy I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi Compound Semiconductor Week 2020, May 2020, Stockholm (Conference canceled).
  • (Accepted) Effects of AlGaAs shell barrier on the photoluminescence intensity of GaAs related heterostructure nanowires grown by molecular beam epitaxy M. Yukimune, F. Ishikawa Compound Semiconductor Week 2020, May 2020, Stockholm (Conference canceled).

国内会議

  • [P107] GaAsBiナノワイヤ分子線エピタキシャル成長におけるBiフラックスの影響 森 翔太, 堤 陸朗, 行宗 詳規, 石川 史太郎 2020年春期 日本金属学会第166回講演会, 2020年3月17-19日, 東京工業大学 大岡山キャンパス
  • [12a-D215-5] 低温成長GaAs1-xBixの分子線エピタキシャル成長条件 富永 依里子, 堀田 行紘, 高垣 佑斗, 行宗 詳規, 藤原 亮, 石川 史太郎 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [13p-PA5-4] 低温成長GaAs1-xBixの結晶学的・光学的両特性 横手 竜希, 堀田 行紘, 高垣 佑斗, 林 亮輔, 富永 依里子, 行宗 詳規, 藤原 亮, 石川 史太郎 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [14a-PA2-17] 最外殻に高Al濃度AlGaAsを持つGaAs/AlGaAsコアシェル型ナノワイヤの作製​ 堤 陸朗, 石川 史太郎 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [14a-PA2-16] シリコン基板上に成長したGaAsナノワイヤの光アノード応用​ 大野 智樹, 行宗 詳規, 藤原 亮, 石川 史太郎, Wang Yongjie, Mi Zetian 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [13p-D305-4] 縦ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長とAlGaAsシェルによるフォトルミネッセンス発光強度の改善​ 行宗 詳規, 石川 史太郎 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [13p-PA8-8] 高温高圧合成によるP元素導入ナノ多結晶ダイヤモンドの合成​ 大津山 健, 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 大藤 弘明, 新名 亨, 入舩 徹男 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [14a-D221-2] Pイオン注入ダイヤモンドに対する高温高圧処理​ 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 新名 亨, 大藤 弘明, 入舩 徹男 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [13p-PA5-7] AlGaAs系半導体材料を用いたフォトカソードのMBE成長​ 森田 伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
  • [12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBi フラックスの影響​ 森 翔太, 堤 陸朗, 行宗 詳規, 石川 史太郎 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学 四谷キャンパス
2019

論文

  • Effects of growth temperature and thermal annealing on optical quality of GaNAs nanowires emitting in the near-infrared spectral range Jan Eric Stehr, Roman Balagula, Mattias Jansson, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Weimin Chen, Irina A Buyanova Nanotechnology, 31, 065702-1-6, 2020.doi:10.1088/1361-6528/ab51cd
  • Controlling Bi Provoked Nanostructure Formation in GaAs/GaAsBi Core–Shell Nanowires Teruyoshi Matsuda, Kyohei Takada, Kosuke Yano, Rikuo Tsutsumi, Kohei Yoshikawa, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Kazuki Nagashima,Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa Nano Letters, 19, 8510, 2019. doi:10.1021/acs.nanolett.9b02932
  • (総合報告) 薄膜技術応用による化合物半導体ナノワイヤ新材料の開拓 石川史太郎 日本結晶成長学会誌, 46, 46(2) 04-1-9, 2019.
  • doi:10.19009/jjacg.46-2-04
  • Strain deformation in GaAs/GaAsBi core-shell nanowire heterostructures T. Matsuda, K. Takada, K. Yano, S. Shimomura, F. Ishikawa Journal of Applied Physics, 125, 194301-1-5, 2019. doi:10.1063/1.5092524
  • Molecular beam epitaxial growth of dilute nitride GaNAs and GaInNAs nanowires Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Takaya Mita, Naoki Tsuda, Jun Natsui, Yumiko Shimizu, Mattias Jansson, Roman Balagula, W M Chen, Irina A Buyanova, Fumitaro Ishikawa Nanotechnology 30, 244002, 2019.doi:10.1088/1361-6528/ab0974
  • Near-Infrared Lasing at 1 µm from a Dilute Nitride-Based Multishell Nanowire Shula Chen, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Weimin M Chen, and Irina A Buyanova Nano Letters, 19, 885-890, 2019.doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b04103

書籍

  • Strategic Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaAsBi Heterostructures and Nanostructures Pallavi Kisan Patil, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa, Esperanza Luna, Masahiro Yoshimoto Chapter 4 in Bismuth-Containing Alloys and Nanostructures, edited by Shumin Wang and Pengfei Lu, edited by Shumin Wang and Pengfei Lu, pp. 59-96., July 2019, Springer.

国際会議

  • (EL05.09.04) High pressure and high temperature treatment for ion implanted diamonds R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, T. Shinmei, H. Ohfuji, T. Irifune 2019 MRS FALL MEETING & EXHIBIT, December 1-6, 2019, the Hynes Convention Center and adjacent Sheraton Boston Hotel, Boston.
  • (PWe48) Growth of Dilute Nitride Core-Multishell Heterostructured Nanowires M. Yukimune, R. Fujiwara, F. Ishikawa International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics 2019, November 18-22, 2019, NTT Atsugi R&D Center, Japan.
  • (MoP-GR-17) Pyramid formation by high pressure and high temperature processing of diamond Rei Fukuta, Yohei Murakami, Ken Otsuyama, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Toru Shinmei, Hiroaki Ohfuji and Tetsuo Irifune The 9th Asia-Pacifi Workshop on Widegap Semiconductors, November 10-15, 2019, Okinawa, Japan.
  • (30P-7-10) GaAs Nanowires on Si for its application to photoanodes T. Ohno, M. Yukimune, R. Fujiwara,Y. Wang, Z. Mi, F. Ishikawa Micro Nano Conference 2019, December 10-11, 2019, Hiroshima, Japan.
  • (P-16) Controlling Diamond Properties by Ion Implantation and High Pressure and High Temperature Treatment Rei Fukuta, Yohei Murakami, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Toru Shinmei, Hiroaki Ohfuji, Tetsuo Irifune 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2019, September 24-27, 2019, Kobe, Japan.
  • (P-11) Growth of Dilute Nitride Core-Multishell Nanowires Ryo Fujiwara, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2019, September 24-27, 2019, Kobe, Japan.
  • (O-04) Outermost Native Oxide AlGaOx Shell for GaAs Related Core-Shell Nanowires Naoki Tsuda, Fumitaro Ishikawa 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2019, September 24-27, 2019, Kobe, Japan.
  • (P2.15) Bi segregation in GaAs/GaAsBi/GaAs core-multishell nanowires Teruyoshi Matsuda,Kosuke Yano, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Fumitaro Ishikawa Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.
  • (M4.2) Polytypism transfer observed in GaAs/GaNAs core-shell nanowires M. Yukimune, R. Fujiwara, T. Mita, F. Ishikawa Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.
  • (P1.26) Molecular beam epitaxial growth of various diluted nitride nanowires T. Mita, R. Fujiwara, M. Yukimune, R. Tsutsumi, F. Ishikawa Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.
  • (P1.29) Synthesis of GaAs/TiO2 composite nanowires Tomoki Ohno, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.
  • (P1.36) Characteristics of GaAs/AlGaAs core-multishell structures having native oxide AlGaO Outermost shell R. Tsutsumi, N. Tsuda, B. Zhang, W. M. Chen, I. A Buyanova, F. Ishikawa Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.
  • (O13A.3) High temperature and high pressure processing on phosphorous ion implanted diamond R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, T. Shinmei, H. Ohfuji, T. Irifune 30th international conference on Diamond and carbon materials, September 8-12, 2019, Seville, Spain.
  • (O8A.3) Tin-implanted diamond treated by high pressure and high temperature Y. Murakami, R. Fukuta, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Irifune 30th international conference on Diamond and carbon materials, September 8-12, 2019, Seville, Spain.
  • (P9.078) Direct conversion of diamond from P ion implanted graphite by high pressure and high temperature technique K. Otsuyama, R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune 30th international conference on Diamond and carbon materials, September 8-12, 2019, Seville, Spain.
  • (D-2-04) GaAs/AlGaAs Core-Multishell Structure Covered by Native oxide AlGaOx R. Tsutsumi1, N. Tsuda1, F.Ishikawa 2019 international conference on solid state devices and materials SSDM, September 2-5, 2019, Nagoya, Japan
  • (Tu-2) Bi localization in GaAs/GaAsBi/GaAs heterostructured nanowires Teruyoshi Matsuda, Kosuke Yano, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa The 10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 21-24,2019, Toulouse, France.
  • (MoP-28) Dilute Nitride GaNAs Nanowires for Optoelectronics”Growth of GaAs/GaNAs/GaAs Core-Multishell Nanowires Lasing at 1µm Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Shula Chen, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova EDISON 21 – The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 14-19,2019, Nara, Japan.
  • (TuP-28) GaAs/GaAsBi Core-Multishell Nanowires Forming Quantum Confined Structure Teruyuki Matsuda, Kosuke Yano, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa EDISON 21 – The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 14-19,2019, Nara, Japan.
  • (WeC1-6) Growth of GaAs/GaNAs/GaAs Core-Multishell Nanowires Lasing at 1µm Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Shula Chen, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova Compound Semiconductor Week 2019, May 19-22,2019, Nara, Japan.
  • (MoP-A-3) Crystal structures of GaAs/GaNAs core-multishell nanowires Takaya Mita, Ryo Fujiwara, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2019, May 19-23,2019, Nara, Japan.

国内会議

  • [P2-24] Snイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドのフォトルミネッセンス 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 新名 亨, 大藤 弘明, 入舩 徹男 第33回ダイヤモンドシンポジウム, 2019年11月13-15日, 国立大学法人東京工業大学 蔵前会館
  • [3P35] Pイオンを注入したナノ多結晶ダイアモンド合成 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 新名 亨, 大藤 弘明, 入舩 徹男 第60回高圧討論会, 2019年10月23-25日, かでる2・7 北海道立道民活動センター
  • [Th1-7] GaNAsBi heterostructure nanowires showing zincblende and wurtzite related x-ray diffraction peaks S. Mori, M. Yukimune, R. Fujiwara and F. Ishikawa 38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA
  • [Th1-24] Direct conversion of P ion implanted graphite to diamond by high pressure and high temperature technique K. Otsuyama, R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, T. Shinmei, H. Ohfuji and T Irifune 38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA
  • [Th2-6] Characteristics of GaAs related multi-shell nanowires surrounded by native oxide AlGaOx layer R. Tsutsumi, N. Tsuda and F. Ishikawa 38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA
  • [Th2-17] Photoanode measurement of GaAs nanowires grown on silicon substrates T. Ohno, M. Yukimune, R. Fujiwara, Y. Wang, Z. Mi and F. Ishikawa 38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA
  • [Fr2-5] MBE growth of AlGaAs superlattice for photocathode I. Morita, F. Ishikawa, T. Nishitani and M. Tabuchi 38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA
  • [20p-E312-9] Pイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドの表面近傍元素分布 東浦 健人, 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 新名 亨, 大藤 弘明, 入舩 徹男 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [18p-PA4-25] 高温・高圧合成によるP元素を導入したナノ多結晶ダイヤモンドの合成 大津山 健, 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 大藤 弘明, 新名 亨, 入舩 徹男 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [18a-B31-4] X線回折によるGaAs系コア-マルチシェルナノワイヤの構造解析 美田 貴也, 藤原 亮, 行宗 詳規, 石川 史太郎 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [19a-PB5-7] Bi導入で引き起こされるGaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの構造変形 吉川 晃平, 松田 晃賢, 下村 哲, 石川 史太郎, 長島 一樹, 柳田 剛 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [19a-PB5-19] フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長 森田 伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [19p-E317-1] Ga照射表面処理によるナノワイヤの成長方向制御 行宗 詳規, 藤原 亮, 美田 貴也, 石川 史太郎 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [20p-E312-8] InP封入して合成したナノ多結晶ダイヤモンドの特性 福田 玲, 村上 洋平, 石川 史太郎, 松下 正史, 新名 亨, 大藤 弘明, 入舩 徹男 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [18a-PB1-9] MBE による GaAs/GaAsNBi ヘテロ構造ナノワイヤ成長 森翔太, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [18a-PB1-11] 分子線エピタキシャル成長GaAsナノワイヤへのTiO2コーティング 大野 智樹, 石川 史太郎, 長島 一樹, 柳田 剛 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [19p-E312-1] 高温高圧処理を施したスズ注入ダイヤモンドのフォトルミネッセンス 村上 洋平, 福田 玲, 石川 史太郎, 松下 正史, 新名 亨, 大藤 弘明, 入舩 徹男 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [18a-PB1-10] 最外殻に自然酸化膜 AlGaOx を持つ GaAs/AlGaAs コアマルチシェル型ナノワイヤの特性 堤 陸朗, 津田 眞, 石川 史太郎 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [18a-B31-3] GaNAsナノワイヤの窒素導入量による結晶欠陥の変化 藤原 亮, 行宗 詳規, 石川 史太郎 2019年度 応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18-21日, 北海道大学札幌キャンパス
  • [160] GaAsNBiナノワイヤの分子線エピタキシャル成長 森翔太, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎 2019年度 日本金属学会秋期講演大会, 2019年9月11-13日, 岡山大学津島キャンパス
  • [Ha-2] 高温高圧法によるPイオン注入グラファイトからダイヤモンドの直接変換 大津山健, 福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩徹男 2019年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2019年7月21日, 高知工科大学香美キャンパス
  • [Ha-5] フォトカソード応用AlGaAs系材料のMBE成長 森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫 2019年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2019年7月21日, 高知工科大学香美キャンパス
  • [Ha-10] GaAs/TiOx複合ナノワイヤの作製 大野智樹, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎 2019年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2019年7月21日, 高知工科大学香美キャンパス
  • [Ha-11] GaAs/GaAsNBiコアマルチシェル型ナノワイヤの成長 森翔太, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎 2019年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2019年7月21日, 高知工科大学香美キャンパス
  • [Ha-12] 自然酸化膜AlGaOxで覆ったGaAs/AlGaAsコアマルチシェル型ナノワイヤの特性 堤陸朗, 津田眞, 石川史太郎 2019年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2019年7月21日, 高知工科大学香美キャンパス
  • [P1-7] 自然酸化膜AlGaOxを最外殻に持つGaAs/AlGaAsコアマルチシェル型ナノワイヤの特性 堤陸朗, 津田眞, 石川史太郎 2019年度 応用物理学会中国四国支部 若手半導体研究会, 2019年7月19-20日, 高知工科大学永国寺キャンパス
  • [P1-8] 高温高圧法によるP不純物を導入したグラファイトを出発物質としたダイヤモンド合成 大津山健, 福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩徹男 2019年度 応用物理学会中国四国支部 若手半導体研究会, 2019年7月19-20日, 高知工科大学永国寺キャンパス
  • [P2-7] GaAs/GaAsNBiコアマルチシェル型ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長 森翔太, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎 2019年度 応用物理学会中国四国支部 若手半導体研究会, 2019年7月19-20日, 高知工科大学永国寺キャンパス
  • [P2-8] フォトカソード応用のためのAlGaAs系ヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長 森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫 2019年度 応用物理学会中国四国支部 若手半導体研究会, 2019年7月19-20日, 高知工科大学永国寺キャンパス
  • [P2-9] TiOをコーティングしたGaAsナノワイヤの合成 大野智樹, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎 2019年度 応用物理学会中国四国支部 若手半導体研究会, 2019年7月19-20日, 高知工科大学永国寺キャンパス
  • [11a-S422-2] Si及びSOI上のGaAs/GaNAsコア・マルチシェルナノワイヤの成長 藤原 亮、行宗 詳規、石川 史太郎 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京.
  • [11a-W833-7] GaAs/GaNAs/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤの結晶構造解析 行宗 詳規、藤原 亮、石川 史太郎 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京.
  • [11a-S422-1] NおよびBiを導入したGaAsナノワイヤのXRD測定 美田 貴也、藤原 亮、行宗 詳規、石川 史太郎 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京.
  • [11p-PA4-7] Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおけるBi偏析構造Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおけるBi偏析構造 松田 晃賢、矢野 康介、高田 恭兵、下村 哲、清水 夕美子、石川 史太郎 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京.
  • [11a-M113-7] イオン注入後に高温高圧処理を施したダイヤモンドの面内元素分布 村上 洋平、福田 玲、山本 直也、石川 史太郎、松下 正史、新名 亨、大藤 弘明、入舩 徹男 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京.
  • [11a-M113-6] イオン注入したダイヤモンドの高温高圧処理 福田 玲、山本 直也、村上 洋平、石川 史太郎、松下 正史、新名 亨、大藤 弘明、入舩 徹男 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9-12日, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京.
2018

論文

  • Pulsed laser irradiation as a process of conductive surface formation on nanopolycrystalline diamond Rei Fukuta, Naoya Yamamoto, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Tsuyoshi Yoshitake, Hiroshi Ikenoue, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune Japanese Journal of Applied Physics, 57, 118004-1-3, 2018. doi:10.7567/JJAP.57.118004
  • N-induced Quantum Dots in GaAs/Ga(N,As) Core/Shell Nanowires: Symmetry, Strain, and Electronic Structure M. Jansson, F. Ishikawa, W. M. Chen, I. A. Buyanova Physical Review Applied, 10, 044040-1-12, 2018. doi:10.1103/PhysRevApplied.10.044040
  • GaAs/GaNAs core-multishell nanowires with nitrogen composition exceeding 2% Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Hiroya Ikeda, Kohsuke Yano, Kyohei Takada, Mattias Jansson, Weimin Chen, Irina Buyanova, and Fumitaro Ishikawa Applied Physics Letters 113, 011901-1-5, 2018. doi:10.1063/1.5029388
  • Annealing induced atomic rearrangements on (Ga,In) (N,As) probed by hard X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption fine structure Fumitaro Ishikawa, Kotaro Higashi, Satoshi Fuyuno, Masato Morifuji, Masahiko Kondow, Achim Trampert Scientific Reports 8, 5962-1-13, 2018. doi:10.1038/s41598-018-23941-y
  • Electronic properties of nano-polycrystalline diamond synthesised by high-pressure and high-temperature technique Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Akihiro Ishikawa, Kohsuke Hamada, Masafumi Matsushita, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune Diamond and Related Materials, 84, 66-70, 2018. doi:10.1016/j.diamond.2018.03.007

受賞

  • エレキテル尾崎財団 源内賞 石川史太郎 「新規半導体ナノワイヤ材料の開拓」,2018年3月25日.

招待講演・特別講演

  • Extending Compound Semiconductor Nanowire Functions by the Introduction of Additional Elements (NM-TuE4) Fumitaro Ishikawa he AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2018), December 3-6,2018, Hamilton, Canada.
  • Low-dimensional quantum structure formation in GaAs/GaAsBi core-multishell nanowires (Mo-4) Fumitaro Ishikawa, Kosuke Yano, Kyohei Takada, Pallavi Patil, Satoshi Shimomura, and Yumiko Shimizu The 9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors,July 15-18, Kyoto, Japan.
  • GaAs/GaNAs core/shell nanowires - a promising platform for nanoscale optoelectronics (I7) S. L. Chen, M. Jansson, F. Ishikawa, W. M. Chen, and I. A. Buyanova Nanowire Week 2018, June 11-15,2018, Hamilton, Canada.
  • NPDの電気伝導度制御・ドーピングの試み 石川史太郎 愛媛大学地球深部ダイナミクス研究センター 1st NPD Workshop, 2018年3月1日,愛媛大学.

国際会議

  • GaAs/GaNAs CORE/SHELL NANOWIRES for FUTURE OPTOELECTRONICS (O-6) S. L. Chen, M. Jansson, F. Ishikawa, W. M. Chen, and I. A. Buyanova 2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, 24-26 October 2018, Noboribetsu, Japan.
  • Another Strategies for the Molecular Beam Epitaxy of III-V Nanowires (O-07) F. Ishikawa, M. Yukimune, R. Fujiwara, N. Tsuda, J. Natsui, M. Jansson, W. M. Chen, and I. A. Buyanova 2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, 24-26 October 2018, Noboribetsu, Japan.
  • Electron backscattered diffraction analysis of GaNAs nanowires (P-3) M. Yukimune, R. Fujiwara, F. Ishikawa 2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, 24-26 October 2018, Noboribetsu, Japan.
  • Growth of GaAs/GaNAs Core-Multishell Nanowires on Silicon and SOI by Molecular Beam Epitaxy (P-8) R. Fujiwara, M. Yukimune, F. Ishikawa 2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, 24-26 October 2018, Noboribetsu, Japan.
  • Molecular Beam Epitaxial Growth of Dense GaAs/GaNAs Core-Multishell Nanowires on Silicon and SOI (PS-8-01) M. Yukimune, R. Fujiwara1, F. Ishikawa 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials, 9-13 September 2018, Tokyo, Japan.
  • Impurity introduction at the synthesis of nano-polycrystalline diamond by high-pressure and high-temperature (P13.01) N. Yamamoto, Y. Murakami, R. Fukuta, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune International Conference on Diamond and Carbon Materials 2018, 2-6 September 2018, Dubrovnik, Croatia.
  • Epitaxial formed pyramidal diamond by high temperature and high pressure treatment (P13.02) R. Fukuta, N. Yamamoto, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune International Conference on Diamond and Carbon Materials 2018, 2-6 September 2018, Dubrovnik, Croatia.
  • Conductive surface formation on nano-polycrystalline diamond by laser irrradiation (P5.40) R. Fukuta, N. Yamamoto, F. Ishikawa, T. Yoshitake, H. Ikenoue, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune International Conference on Diamond and Carbon Materials 2018, 2-6 September 2018, Dubrovnik, Croatia.
  • Conductive surface formation on nano-polycrystalline diamond by laser irrradiation (P5.40) R. Fukuta, N. Yamamoto, F. Ishikawa, T. Yoshitake, H. Ikenoue, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune International Conference on Diamond and Carbon Materials 2018, 2-6 September 2018, Dubrovnik, Croatia.
  • Over visible wavelengths polarized light from AlGaOx nanowire (P1.26) Jun Natsui, Naoki Tsuda, Naoki Yamamoto, Fumitaro Ishikawa Nanowire Week 2018, June 11-15,2018, Hamilton, Canada.
  • Molecular beam epitaxial growth of GaNAs and GaInNAs nanowires (Tu3.2) M. Yukimune, R. Fujiwara, H. Ikeda, M. Jansson, W. M. Chen, I. A. Buyanova, F. Ishikawa Nanowire Week 2018, June 11-15,2018, Hamilton, Canada.
  • Structural investigations on GaAs/GaAsBi core-multishell nanowires (P2.6) Kosuke Yano, Kyohei Takada, Pallavi Patil, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Fumitaro Ishikawa Nanowire Week 2018, June 11-15,2018, Hamilton, Canada.
  • Structural Characteristics of GaAs/GaAsBi Nanowires (Fr15PP-NS.2) Kosuke Yano, Kyohei Takada, Pallavi Patil, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2018, May 29–June 1, 2018, Cambridge/Boston, USA.
  • Native Oxide AlGaOx Outermost Shell for a Passivation Structure of GaAs‐related Multi‐Layered Nanowires (Fr15PP-NS.5) Naoki Tsuda, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2018, May 29–June 1, 2018, Cambridge/Boston, USA.
  • Molecular Beam Epitaxial Growth of GaInNAs Nanowires (Fr15PP-NS.6) Mitsuki Yukimune, Hiroya Ikeda, Ryo Fujiwara, Mattias Jansson, Weimin Chen and Irina Buyanova, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2018, May 29–June 1, 2018, Cambridge/Boston, USA.
  • Growth of GaNAs Nanowires with Nitrogen Concentration over 2Percent (Fr15PP-NS.7) Ryo Fujiwara, Hiroya Ikeda, Mitsuki Yukimune, Mattias Jansson, Weimin Chen and Irina Buyanova, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2018, May 29–June 1, 2018, Cambridge/Boston, USA.
  • Investigations of Light Polarization of GaAs/AlGaOx Nanowire (Fr15PP-NS.9) Jun Natsui, Naoki Yamamoto, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week 2018, May 29–June 1, 2018, Cambridge/Boston, USA.

国内会議

  • InP封入によるナノ多結晶ダイヤモンドへの影響 [1B16] 福田玲, 村上洋平, 山本直也, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩 徹男 第59回高圧討論会, 2017年11月26-28日, 岡山大学, 岡山.
  • 高温高圧処理によるCVDダイヤモンド表面の特性改質 [P2-10] 福田玲, 山本直也, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩 徹男 第32回ダイヤモンドシンポジウム, 2018年11月14-16日, 電気通信大学, 東京.
  • Microstructural characteristics of nano-polycrystalline diamond by the introduction of indium and phosphorous synthesized [Fr1-25] Y. Murakami, R. Fukuta, N. Yamamoto, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, and T. Irifune 第37回電子材料シンポジウム (The 37th Electronic Materials Symposium), 2018年10月10-12日, ホテル&リゾーツ長浜, 長浜.
  • XRD measurement of GaAs/GaNAs/GaAs core-multishell nanowires [Th1-9] T. Mita , R. Fujiwara , M. Yukimune and F. Ishikawa 第37回電子材料シンポジウム (The 37th Electronic Materials Symposium), 2018年10月10-12日, ホテル&リゾーツ長浜, 長浜.
  • Growth of GaNAs nanowires with nitrogen over 2% [Th1-3] R. Fujiwara, M. Yukimune, M. Jansson, W. M. Chen, I. A. Buyanova, F. Ishikawa 第37回電子材料シンポジウム (The 37th Electronic Materials Symposium), 2018年10月10-12日, ホテル&リゾーツ長浜, 長浜.
  • Growth of GaInNAs nanowires by molecular beam epitaxy [Th1-2] M. Yukimune, R. Fujiwara, M. Jansson, W. M. Chen, I. A. Buyanova, F. Ishikawa 第37回電子材料シンポジウム (The 37th Electronic Materials Symposium), 2018年10月10-12日, ホテル&リゾーツ長浜, 長浜.
  • GaAs/AlGaAsヘテロ構造と自然酸化AlGaOx最外殻によるパッシベーション構造を用いたコアシェルナノワイヤの作製 [19p-221A-8] 津田 眞、石川 史太郎 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18-21日,名古屋国際会議場, 名古屋.
  • 白色発光するAlGaOxナノワイヤの偏光特性 [19p-221A-7] 夏井 潤、山本 直紀、石川 史太郎 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18-21日,名古屋国際会議場, 名古屋.
  • 窒素2%以上のGaNAsナノワイヤの成長 [18p-234B-7] 藤原 亮、行宗 詳規、Jansson Mattias、Chen Weimin、Buyanova Irina、石川 史太郎 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18-21日,名古屋国際会議場, 名古屋.
  • GaAs/GaN0.02As0.98/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤの成長と評価 [20p-211A-7] 行宗 詳規、藤原 亮、Jansson Mattias、Chen Weimin、Buyanova Irina、石川 史太郎 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18-21日,名古屋国際会議場, 名古屋.
  • ナノ多結晶ダイヤモンド高温・高圧合成時InP封入の影響 [20p-222-8] 福田 玲、村上 洋平、山本 直也、石川 史太郎、松下 正史、新名 亨、大藤 弘明、入舩 徹男 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18-21日,名古屋国際会議場, 名古屋.
  • (001)GaAs基板上にMBE成長したGaAsBi/GaAs多重量子井戸の偏光依存PL[17p-F214-11] 樋口 憧生,塚本 晟,伊藤 瑛悟,田中 佐武郎,石川 史太郎,下村 哲 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
  • MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布 [17p-F214-12] 塚本 晟,,伊藤 瑛悟,檜垣 興一郎,田中 佐武郎,石川 史太郎,下村 哲 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
  • Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおける微細構造成長 [18p-P8-10] 矢野 康介,高田 恭兵,Patil Pallavi,下村 哲,清水 夕美子,長島 一樹,柳田 剛,石川 史太郎 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
  • AlGaOxナノワイヤの発光特性 [18p-P8-9] 夏井 潤,山本 直紀,石川 史太郎 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
  • 自然酸化AlGaOx最外殻とGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いたGaAsナノワイヤパッシベーション構造の作製 [17p-P1-11] 津田 眞,石川 史太郎 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
  • ダイヤモンド高温・高圧合成時のInP封入効果 [18a-F206-8] 山本 直也,福田 玲,石川 史太郎,松下 正史,新名 享,大藤 弘明,入舩 徹男 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
  • ダイヤモンド表面に形成された微細ピラミッド構造の観察 [18p-F206-15] 福田 玲,山本 直也,石川 史太郎,松下 正史,大藤 弘明,新名 亨,入舩 徹男 第65回 応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17-20日, 早稲田大学, 東京.
2017

論文

  • GaAsBi/GaAs MQWs grown by MBE using a two-substrate-temperature technique Pallavi Kisan Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura Journal of Alloys and Compounds 725, 694, 2017. 10.1016/j.jallcom.2017.07.171
  • Morphological and chemical instabilities of nitrogen delta-doped GaAs/(Al, Ga)As quantum wells E. Luna, R. Gargallo-Caballero, F. Ishikawa, and A. Trampert Applied Physics Letters 110, 201906, 2017. 10.1063/1.4983837
  • Bismuth flux dependence of GaAsBi/GaAs MQWs grown by molecular beam epitaxy using two-substrate-temperature technique Pallavi Kisan Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura Superlattices and Microstructures, 106, 50, 2017. doi:10.1016/j.spmi.2017.03.021
  • Dilute Nitride Nanowire Lasers Based on a GaAs/GaNAs Core/Shell Structure Shula Chen, Mattias Jansson, Jan E. Stehr, Yuqing Huang, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova Nano Letters, 17, 1775, 2017. doi:10.1021/acs.nanolett.6b05097
  • Material conversion of GaAs nanowires Kohei Nishioka, Hidetoshi Suzuki, Kentaro Sakai, Fumitaro Ishikawa Physica Status Solidi b, 254, 1600522, 2017. doi:/10.1002/pssb.201600522
  • GaAsBi/GaAs multi-quantum well LED grown by molecular beam epitaxy using a two-substrate-temperature technique Pallavi Kisan Patil, Esperanza Luna, Teruyoshi Matsuda, Kohki Yamada, Keisuke Kamiya, Fumitaro Ishikawa and Satoshi Shimomura Nanotechnology, 28, 105702, 2017. doi:10.1088/1361-6528/aa596c

書籍

    Edit

  • Novel Compound Semiconductor Nanowires - Materials, Devices, and Applications Fumitaro Ishikawa and Irina A. Buyanova ISBN 978-981-4745-76-5, September 2017, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.
  • Chaprters

  • GaNAs-Based Nanowires for Near-Infrared Optoelectronics Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa, and Weimin M. Chen Chapter 4 in Novel Compound Semiconductor Nanowires - Materials, Devices, and Applications, edited by Fumitaro Ishikawa and Irina A. Buyanova, pp. 133-160, September 2017, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.
  • Dilute Bismide Nanowires Wojciech M. Linhart, Szymon J. Zelewski, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, and Robert Kudrawiec Chapter 5 in Novel Compound Semiconductor Nanowires - Materials, Devices, and Applications, edited by Fumitaro Ishikawa and Irina A. Buyanova, pp. 161-176, September 2017, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.
  • GaAs/AlGaOx Heterostructured Nanowires Fumitaro Ishikawa and Naoki Yamamoto Chapter 8 in Novel Compound Semiconductor Nanowires - Materials, Devices, and Applications, edited by Fumitaro Ishikawa and Irina A. Buyanova, pp. 255-290, September 2017, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.

受賞

  • 応用物理学会秋季学術講演会第10回JSAPフォト&イラストコンテスト 優秀賞 福田玲, 石川史太郎, 山本直也, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩徹男 「ピラミッドダイヤ」,2017年9月.

招待講演・特別講演

  • Epitaxial nanowires/microstructures exploring next generation electronics Fumitaro Ishikawa STINT/JSPS (The Swedish Foundation for International Cooperation in Research and Higher Education/The Japanese Society for the Promotion of Science) summer workshop 2017,10-12th August, 2017, Viking line cruise between Stockholm-Helsinki, Sweden-Finland.
  • Looking for extra compound semiconductor nanowires Fumitaro Ishikawa International Workshop on Advanced Smart Materials and Engineering for Nano- and Bio-Technologies,13-14th July, 2017, Kobe, Japan.

国際会議

  • Pyramid diamond synthesised with high pressure and high temperature technique R. Fukuta, N. Yamamoto, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune 28th International Conference on Diamond and Carbon Materials, September 3–7, 2017, Gothenburg, Sweden.
  • Analysis of Bi composition of MBE-grown GaAsBi/GaAs quantum wells on GaAs substrates Eigo Ito, Koichiro Higaki, Saburo Tanaka, Pallavi Kisan Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 23–26, 2017, Marburg, Germany.
  • Vertically coherent lattice deformation in GaAs/GaAsBi heterostructural nanowires Kyohei Takada, Kosuke Yano, Takeshi Hayakawa, Kohei Nishioka, Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 23–26, 2017, Marburg, Germany.
  • Branch formation in GaAs/GaAsBi nanowires on Si(111) Kohsuke Yano, Takeshi Hayakawa, Kyohei Takada, Kohei Nishioka, Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida Compound Semiconductor Week 2017, May 14–18, 2017, Berlin, Germany.

国内会議

  • ダイヤモンド表面処理によるピラミッド型微細構造形成 福田玲, 山本直也, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩 徹男 第58回高圧討論会, 2017年11月8-10日, 名古屋大学, 名古屋.
  • GaAs/GaAsBi nanowire growth on Si(111) K. Yano, K. Takada, K. Nishioka, P. Patil, F. Ishikawa, S. Shimomura, K. Nagashima, and T. Yanagida 第36回電子材料シンポジウム (The 36th Electronic Materials Symposium), 2017年11月8-10日, 長浜ロイヤルホテル, 長浜.
  • Synthesis of GaAs-related multishell nanowires with native oxide AlGaOx outermost shell N. Tsuda and F. Ishikawa 第36回電子材料シンポジウム (The 36th Electronic Materials Symposium), 2017年11月8-10日, 長浜ロイヤルホテル, 長浜.
  • Pyramidal diamond formation by high pressure and high temperature technique R. Fukuta, N. Yamamoto, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei and T. Irifune 第36回電子材料シンポジウム (The 36th Electronic Materials Symposium), 2017年11月8-10日, 長浜ロイヤルホテル, 長浜.
  • レーザー照射によるナノ多結晶ダイヤモンドの表面処理 福田 玲、山本 直也、石川 史太郎、松下 正史、大藤 弘明、新名 亨、入舩 徹男、吉武 剛、池上 浩 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5-8日,福岡国際会議場,福岡国際センター,福岡サンパレスホテル, 福岡.
  • 高温・高圧処理によるダイヤモンド表面での微細ピラミッド形成 福田 玲、山本 直也、石川 史太郎、松下 正史、大藤 弘明、新名 亨、入舩 徹男 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5-8日,福岡国際会議場,福岡国際センター,福岡サンパレスホテル, 福岡.
  • 2温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性 樋口 憧生、佐々木 大志、塚本 晟、伊藤 瑛悟、山田 光起、パティル パラビ、石川 史太郎、下村 哲 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5-8日,福岡国際会議場,福岡国際センター,福岡サンパレスホテル, 福岡.
  • GaAs/GaAsBi歪コアーシェルナノワイヤ側壁での垂直格子定数合致型コヒーレント成長 矢野 康介、高田 恭兵、Pallavi Patil、石川 史太郎、下村 哲、長島 一樹、柳田 剛 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月5-8日,福岡国際会議場,福岡国際センター,福岡サンパレスホテル, 福岡.
  • GaAs/GaAsBi量子井戸の深さ方向Bi組成の解析 伊藤 瑛悟, 檜垣 興一郎, 田中 佐武郎, Patil Pallavi, 石川 史太郎, 下村 哲 2017 年度応用物理学会中四国支部 若手半導体研究会, 2017年7月29-30日, 愛媛大学, 愛媛.
  • ダイアモンド高温・高圧合成時の不純物導入の試み 山本直也, 福田玲, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩徹男 2017 年度応用物理学会中四国支部 若手半導体研究会, 2017年7月29-30日, 愛媛大学, 愛媛.
  • GaAsBiナノワイヤの成長と評価 矢野康介, 高田恭平, 石川史太郎, 下村哲 2017 年度応用物理学会中四国支部 若手半導体研究会, 2017年7月29-30日, 愛媛大学, 愛媛.
  • AlリッチAlGaAsをシェルに持つGaAs/AlGaAsコアーシェル型ナノワイヤの 特性 津田眞, 石川史太郎 2017 年度応用物理学会中四国支部 若手半導体研究会, 2017年7月29-30日, 愛媛大学, 愛媛.
  • GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの成長機構 高田 恭兵, 西岡 康平, 矢野 康介, 早川 岳志, Patil Pallavi, 石川 史太郎, 下村 哲, 長島 一樹, 柳田 剛 2017 年度応用物理学会中四国支部 若手半導体研究会,2017年7月29-30日, 愛媛大学, 愛媛.
  • (100)面GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成の解析 塚本晟,伊藤瑛悟,檜垣興一郎,田中佐武郎,Pallavi Patil,石川史太郎,下村哲 2017年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2017年7月29日, 愛媛大学, 愛媛.
  • 高濃度Al組成AlGaAsをシェルに持つGaAs/AlGaAsコアーシェル型ナノワイヤの 特性 津田眞, 石川史太郎 2017年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2017年7月29日, 愛媛大学, 愛媛.
  • 高温・高圧合成ダイアモンドへの不純物導入 山本直也, 福田玲, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩徹男 2017年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2017年7月29日, 愛媛大学, 愛媛.
  • GaAsBiナノワイヤの成長 矢野康介, 高田恭平, 石川史太郎, 下村哲 2017年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2017年7月29日, 愛媛大学, 愛媛.
  • (100)A面 GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成の解析 伊藤 瑛悟, 檜垣 興一郎, 田中 佐武郎, Patil Pallavi, 石川 史太郎, 下村 哲 第64回 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月14-17日, パシフィコ横浜, 横浜.
  • Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの成長機構 高田 恭兵, 西岡 康平, 矢野 康介, 早川 岳志, Patil Pallavi, 石川 史太郎, 下村 哲, 長島 一樹, 柳田 剛 第64回 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月14-17日, パシフィコ横浜, 横浜.
  • 高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの光学特性評価 福田 玲, 石川 晃啓, 石川 史太郎, 松下 正史, 大藤 弘明, 新名 亨, 入舩 徹男 第64回 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月14-17日, パシフィコ横浜, 横浜.
  • 変質処理によりInを導入させたGaAsナノワイヤの発光特性 中野 真理菜, 合田 拓矢, 碇 哲雄, 西岡 康平, 石川 史太郎, 福山 敦彦 第64回 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月14-17日, パシフィコ横浜, 横浜.
  • GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの成長時構造変形 石川 史太郎, 高田 恭兵, 西岡 康平, 矢野 康介, 早川 岳志, 下村 哲, 長島 一樹, 柳田 剛 第64回 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月14-17日, パシフィコ横浜, 横浜.
  • 高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの電気・光学的特性 石川 史太郎 Workshop on Materials science under ultra-high pressure, 2017年3月2-3日,愛媛大学, 松山.
2016

論文

  • (Frontispiece) White-Light Emitters: (Al,Ga)Ox Microwire Ensembles on Si Exhibiting Luminescence over the Entire Visible Wavelength Range Fumitaro Ishikawa, Pierre Corfdir, Uwe Jahn, Oliver Brandt Advanced Optical Materials, 4, 2016, 2016. doi:10.1002/adom.201670068
  • (Al,Ga)Ox Microwire Ensembles on Si Exhibiting Luminescence over the Entire Visible Wavelength Range Fumitaro Ishikawa, Pierre Corfdir, Uwe Jahn, Oliver Brandt Advanced Optical Materials, 4, 2017, 2016. doi:10.1002/adom.201600695
  • Defect formation in GaAs/GaNxAs1-x core/shell nanowires Jan E. Stehr, Shula Chen, Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova Applied Physics Letters, 109, 203103, 2016. doi:/10.1063/1.4967721
  • GaAsBi/GaAs MQWs MBE growth on (411) GaAs substrate Pallavi Kisan Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura Superlattices and Microstructures, 100, 1205, 2016. doi:/10.1016/j.spmi.2016.11.003
  • Photoacoustic spectroscopy of absorption edge for GaAsBi/GaAs nanowires grown on Si substrate Szymon J. Zelewski, Jan Kopaczek, Wojciech M. Linhart, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Robert Kudrawiec Applied Physics Letters, 109, 182106, 2016. doi:10.1063/1.4966901
  • Strongly polarized quantum-dot-like light emitters embedded in GaAs/GaNAs core/shell nanowires S Filippov, M Jansson, J E Stehr, J Palisaitis, P Persson, F Ishikawa, W M Chen, I Buyanova Nanoscale, 8, 15939, 2016. doi:10.1039/C6NR05168E
  • GaAsナノワイヤの熱処理による物質変換 西岡康平, 石川史太郎 信学技報 (IEICE Technical Report), 116, CPM2016-28, 19, 2016.
  • Core shell carrier and exciton transfer in GaAs/GaNAs coaxial nanowires Shula Chen, Mattias Jansson, Stanislav Filippov, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova Journal of Vacuum Science & Technology B, 34, 04J104, 2016. doi:10.1116/1.4953184
  • Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements Takuo Sasaki, Fumitaro Ishikawa, Tomohiro Yamaguchi, Masamitu Takahasi Japanese Journal of Applied Physics, 55(5S), 05FB05, 2016. doi:10.7567/JJAP.55.05FB05
  • Additional compound semiconductor nanowires for photonics (Invited paper) Fumitaro Ishikawa Proceedings of SPIE, 9755, 975526, 2016. doi:10.1117/12.2208408
  • Structural properties of GaNAs nanowires probed by micro-Raman spectroscopy S. Filippov, F. Ishikawa, W. M. Chen, I. A. Buyanova Semiconductor Science and Technology, 31, 025002, 2016. doi:10.1088/0268-1242/31/2/025002
  • Perturbation analysis on large bandgap bowing of dilute nitride semiconductors Masato Morifuji, Fumitaro Ishikawa Physica B, 485, 89, 2016. doi:/10.1016/j.physb.2016.01.018
  • Anomalous lattice deformation in GaN/SiC(0001) measured by high-speed in situ synchrotron X-ray diffraction Takuo Sasaki, Fumitaro Ishikawa, Masamitu Takahasi Applied Physics Letters, 108, 012102, 2016. doi:/10.1063/1.4939450

特許(出願)

  • 特願2016-113297: 照明装置 出願人 国立大学法人愛媛大学、 発明者 石川史太郎、矢野稔郎

招待講演・特別講演

  • GaAsBiナノワイヤの分析 石川史太郎, 赤松良彦,渡辺健太郎,上杉文彦,朝比奈俊輔,Uwe Jahn,下村哲 平成28年度 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム総会, 第2部 H27年度の秀でた利用成果事例紹介,JST東京本部,2016年10月31日.
  • Additional GaAs related nanowires Fumitaro Ishikawa JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in spin and photon functionalities of semiconductor nanostructures, August 30-31, 2016, Sapporo, Japan.
  • Novel GaNAs and GaNP-Based Nanowires ・Promising Materials for Optoelectronics and Photonics Irina Buyanova, Fumitaro Ishikawa, Charles Tu, Weimin Chen IEEE NANO 2016- 16th International Conference On Nanotechnology, August 22-25, 2016, Sendai, Japan.
  • GaAsBi Heterostructured Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy Fumitaro Ishikawa and Satoshi Shimomura The 7th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 24-27, 2016, Shanghai, China.
  • 化合物半導体エピタキシャル成長を基盤とした新機能ナノワイヤ材料の開拓 石川 史太郎 新化学技術推進協会, 先端化学・材料技術部会 新素材分科会講演会, 東京, 2016年2月29日.
  • Additional compound semiconductor nanowires for photonics Fumitaro Ishikawa SPIE Photonics West 2016, February 2016, San Francisco, USA.

国際会議

  • GaAsBi/GaAs MQWs LED Grown by Molecular Beam Epitaxy P. Patil, T. Matsuda, K. Yamada, K. Kamiya, F. Ishikawa, S. Shimomura 32nd North American Molecular Beam Epitaxy, September 18-21, 2016, Saratoga Springs, USA.
  • Semi-conductive characteristics of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique F. Ishikawa, A. Ishikawa, K. Hamada, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune International Conference on Diamond and Carbon Materials, September 4-8, 2016, Montpellier, France.
  • GaAsBi/GaAs MQWs LED grown by MBE P. Patil, T. Matsuda, K. Yamada, K. Kamiya, F. Ishikawa, S. Shimomura 19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy, September 4-9, 2016, Montpellier, France.
  • Molecular Beam Epitaxy of GaAs/GaAsBi Heterostructure Nanowires Kyohei Takada, Yuto Kubota, Yoshihiko Akamatsu, Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura 19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy, September 4-9, 2016, Montpellier, France.
  • Characterization of Quantum Dot-Like Emission from GaAs/GaNAs Core/Shell Nanowires Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin Chen, Irina Buyanova IEEE NANO 2016- 16th International Conference On Nanotechnology, August 22-25, 2016, Sendai, Japan.
  • Electronic characteristics of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique: Semi-insulating properties at high temperatures Akihiro Ishikawa, Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune The 17th International Conference on High Pressure in Semiconductor Physics (HPSP-17) & Workshop on High-pressure Study on Superconducting (WHS), August 7-10, 2016, Tokyo, Japan.
  • GaAsBi/GaAs MQWs LED grown by MBE P. Patil, F. Ishikawa, S. Shimomura The 7th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 24-27, 2016, Shanghai, China.
  • Statistical Investigations on the Development of GaAs/GaAsBi Core-Multi Shell Nanowires Kyohei Takada, Yuto Kubota, Yoshihiko Akamatsu, Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura Compound Semiconductor Week, June 26-30, 2016, Toyama International Conference Center, Toyama, Japan.
  • Material Conversion of GaAs Nanowires by Post Growth Treatment Kohei Nishioka, Hidetoshi Suzuki, Kentaro Sakai, Fumitaro Ishikawa Compound Semiconductor Week, June 26-30, 2016, Toyama International Conference Center, Toyama, Japan.
  • Material Conversion of GaAs Nanowires Kohei Nishioka, Fumitaro Ishikawa 229th ECS Meeting, May 29 - June 2, 2016, San Diego, USA.
  • Improved Optical Quality and 1.26μm Light Emission from (411) GaAsBi /GaAs MQWs Grown by MBE P. Patil, F. Ishikawa, S. Shimomura 2016 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, May 16 - 19, 2016, Miami, USA.

国内会議

  • 可視波長全域で発光する(Al,Ga)Ox マイクロワイヤ群 石川 史太郎, Pierre Corfdir, Uwe Jahn, Oliver Brandt 第77回 応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月13-16日, 朱鷺メッセ, 新潟.
  • GaAsナノワイヤの熱処理による物質変換 西岡康平,石川史太郎 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会 (CPM2016), 2016年7月22-23日, 愛媛大学, 松山.
  • Semi-conducting characteristics of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique Akihiro Ishikawa, Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune 第35回電子材料シンポジウム (The 35th Electronic Materials Symposium), 2016年7月6-8日, ラフォーレ琵琶湖, 守山.
  • Growth of GaAs/GaAsBi Heterostructure Nanowires by Molecular Beam Epitaxy K. Takada, Y. Kubota, Y. Akamatsu, P. Patil, F. Ishikawa, S. Shimomura 第35回電子材料シンポジウム (The 35th Electronic Materials Symposium), 2016年7月6-8日, ラフォーレ琵琶湖, 守山.
  • Post Growth Material Conversion of GaAs Nanowires Kohei Nishioka, Fumitaro Ishikawa 第35回電子材料シンポジウム (The 35th Electronic Materials Symposium), 2016年7月6-8日, ラフォーレ琵琶湖, 守山.
  • MBE growth for high quality GaAsBi/GaAs MQWs for longer wavelength emission Patil Pallavi、Ishikawa Fumitaro、Shimomura Satoshi 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19-22日, 東工大大岡山キャンパス, 東京.
  • GaAsナノワイヤの成長後物質変換 西岡康平、石川史太郎 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19-22日, 東工大大岡山キャンパス, 東京.
  • 高温高圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの基礎物性評価 石川晃啓、濱田幸佑、石川 史太郎、松下正史、大藤弘明、新名亨、入舩徹男 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19-22日, 東工大大岡山キャンパス, 東京.
  • 分子線エピタキシーによるSi(111) 基板上GaAs/GaAsBiコア-シェルナノワイヤ成長 石川史太郎、赤松良彦、渡辺健太郎、上杉文彦、朝比奈俊輔、Jahn Uwe、下村 哲 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19-22日, 東工大大岡山キャンパス, 東京.
  • Si(111)基板上GaAs/GaAsBi マルチコアーシェルナノワイヤの特性 石川史太郎、赤松良彦、渡辺健太郎、上杉文彦、朝比奈俊輔、Jahn Uwe、下村 哲 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19-22日, 東工大大岡山キャンパス, 東京.
  • その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測 佐々木 拓生、出来 亮太、石川 史太郎、山口 智広、高橋 正光 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年3月19-22日, 東工大大岡山キャンパス, 東京.
2015

論文

  • Growth of GaAsBi/GaAs Multi Quantum Wells on (100) GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy P. Patil, T. Tatebe, Y. Nabara, K. Higaki, N. Nishii, S. Tanaka, F. Ishikawa, S. Shimomura e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 13, 469, 2015. 10.1380/ejssnt.2015.469
  • Metamorphic GaAs/GaAsBi heterostructured nanowires F. Ishikawa, Y. Akamatsu, K. Watanabe, F. Uesugi, S. Asahina, U. Jahn, and S. Shimomura Nano Letters, 15, 7265, 2015. doi:10.1021/acs.nanolett.5b02316
  • Suppression of non-radiative surface recombination by N incorporation in GaAs/GaNAs core/shell nanowires S. L. Chen, W. M. Chen, F. Ishikawa, and I. A. Buyanova Scientific Reports, 5, 11653, 2015. doi:10.1038/srep11653

招待講演・特別講演

  • Exploring additional functions of GaAs-related nanowires Fumitaro Ishikawa PACIFICHEM 2015, Honolulu, USA, December 2015.
  • Semiconductor/oxide composite nanowires supplying white luminescence F. Ishikawa, N. Yamamoto The 228th ECS Meeting, Phoenix, USA, October 2015.

国際会議

  • Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAsBi Nanowires on Si(111) Yoshihiko Akamatsu, Fumitaro Ishikawa and Satoshi Shimomura Compound Semiconductor Week 2015, June 28 - July 2, 2015, Santa Barbara, USA
  • Characterization of GaAs/GaNAs core/shell nanowires by means of Raman scattering spectroscopy S. Filippov, F. Ishikawa, W. M. Chen, I. A. Buyanova E-MRS 2015 Spring Meeting, May 11-15, 2015, Lille Grand Palais, France.

国内会議

  • Investigations on the properties of nano-polycrystalline diamond synthesized by high pressure and high temperature technique Kohsuke Hamada, Akihiro Ishikawa, Masashi Matsushita, Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, and Tetsuo Irifune 第34回電子材料シンポジウム (The 34th Electronic Materials Symposium), 2015年7月15-17日, ラフォーレ琵琶湖, 守山.
  • Semiconductor/oxide composite nanowires providing white luminescence Fumitaro Ishikawa, Naoki Yamamoto 第34回電子材料シンポジウム (The 34th Electronic Materials Symposium), 2015年7月15-17日, ラフォーレ琵琶湖, 守山.
  • (100)A面 GaAs基板上のGaAs/GaAsBi超格子のBi組成プロファイルの解析 檜垣 興一郎、西井 寅貴、パラビ パティル、石川 史太郎、下村 哲 第62回 応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月11-14日, 東海大学 湘南キャンパス, 神奈川.
  • (100)面 GaAs基板上のGaAs/GaAsBi量子井戸のMBE成長 西井 寅貴、檜垣 興一郎、Patil Pallavi、石川 史太郎、下村 哲 第62回 応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月11-14日, 東海大学 湘南キャンパス, 神奈川.
  • Si(111)基板上GaAsBiナノワイヤの分子線エピタキシャル成長 赤松 良彦、石川 史太郎、下村 哲 第62回 応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月11-14日, 東海大学 湘南キャンパス, 神奈川.
2014

論文

  • Selective synthesis of compound semiconductor/oxide composite nanowires H. Hibi, M. Yamaguchi, N. Yamamoto, and F. Ishikawa Nano Letters, 14, 7024, 2014. doi:/abs/10.1021/nl503385g
  • Origin of radiative recombination and manifestations of localization effects in GaAs/GaNAs core/shell nanowires S. L. Chen, S. Filippov, F. Ishikawa, W. M. Chen, I. A. Buyanova Applied Physics Letters, 105, 253106, 2014.
  • Dielectric-rod photonic crystals improving luminescence from tensile-strained compound semiconductor quantum wells F. Ishikawa, H. Goto, M. Morifuji Applied Physics Express, 7, 112003, 2014.
  • Studying the formation of nitrogen δ-doped layers on GaAs(001) using reflection high-energy electron diffraction S. Nishimoto, M. Kondow, F. Ishikawa Journal of Vacuum Science & Technology B, 32, 02C121, 2014.
  • Effects of growth interruption, As and Ga fluxes, and nitrogen plasma irradiation on the molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaAsN core-shell nanowires on Si(111) N. Ahn, Y. Araki, M. Kondow, M. Yamaguchi, and F. Ishikawa Japanese Journal of Applied Physics, 53, 065001, 2014.
  • ナノスケール結晶成長による新機能半導体材料の創出 石川史太郎 月刊 愛媛ジャーナル,137, 80, 2014.

招待講演・特別講演

  • 化合物半導体ナノワイヤを基盤とした新光電変換材料探索 石川史太郎 平成26年度 第39回 太陽光発電プロジェクト講演会, 宮崎大学, 宮崎, 2015年 3月.
  • Compound semiconductor/oxide composite nanowire system Fumitaro Ishikawa BIT's 4th Annual World Congress of Nano Science and Technology, Qingdao, China, October 2014.
  • 窒化物MBEにおける基礎検討事項:~GaAs系結晶成長との比較から~ 石川史太郎 平成26年度 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 微細構造解析プラットフォーム 第1回放射光利用研究セミナー, 大阪, 2014年9月.