ナノ・エレクトロニクス研究室へようこそ 半導体を原子から積み上げるエピタキシャル成長技術を基盤に、新しい半導体デバイスの創出を目指します。

最近の結果: 窒素濃度2%を超えるGaNAsナノワイヤ合成に成功
Yukimune, Fujiwara, and Ikeda et al., Appl. Phys. Lett.113, 011901, 2018.
研究概要 いろいろな種類の半導体をナノスケールで組み合わせると、個々の半導体がもっている特徴・性質をはるかに超えた新しい能力を与えることができます。例えば、電子・正孔を高い密度で閉じ込め数千倍光る画期的レーザーを創出する。他には、ダイヤモンドを将来のエレクトロニクスを担う半導体として確立する。 詳細はこちら 下村G 石川G
大学院生募集 当研究室では大学院生(修士課程・博士課程)を募集しています。
学内外を問わず興味・意欲のある方、どなたでも歓迎します。学生による学会・学術論文発表や短期留学を積極的に奨励し、大学院での確かな経験を提供します。
最近3年間では修士学生がイエテボリ(スウェーデン)、ベルリン、マルブルグ(ドイツ)、モンペリエ(フランス)、サンディエゴ、サンタバーバラ(アメリカ)で国際会議発表。例年修士1年生がインドネシアに1か月間留学など。国内発表多数。
詳しくは教員までお気軽にお尋ねください。研究室の雰囲気など所属学生の生の声もぜひ聴いて頂ければと思います。
活動はこちら   研究業績はこちら
研究体制 下村 哲 教授、石川 史太郎 准教授のもと、博士後期1年: 1名、M2: 7名、M1: 8名、B4: 11名が実験を主とした研究を行っています。 メンバー詳細はこちら
NEWS
 
ハイライト
2018.10.16
D1 福田玲君, M2 山本直也君らのナノ多結晶ダイヤモンド表面導電処理の論文がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました. Fukuta, Yamamoto et al., Jpn. J. Appl. Phys. 57, 118004, 2018.
2018.9.22
電気関係学会四国支部連合会でM1 行宗詳規君が優秀発表賞を受賞しました.
2018.7.2
M1 行宗詳規君, 藤原亮君, 昨年卒業生池田君らの論文がApplied Physics Letters誌に掲載されました. Yukimune, Fujiwara, and Ikeda et. al, Appl. Phys. Lett.113, 011901, 2018.
2018.6.1
M2 津田眞君, 夏井潤君, 矢野康介君, M1 藤原亮君, 行宗詳規君がボストンのマサチューセッツ工科大学で開催された Compound Semiconductor Weekで発表を行いました.
2018.4.6
D1 福田玲君に那須奨学金が授与されました.
2018.3.25
石川准教授がエレキテル尾崎財団 源内賞を受賞しました. 愛媛大学HP.
2018.3.13
M2 福田玲君の論文がDiamond and Related Materials誌に掲載されました.Electronic properties of nano-polycrystalline diamond synthesised by high-pressure and high-temperature technique
2018.3.5
M2 福田玲君, M1山本直也君が受賞した"ピラミッドダイヤ"の記事が雑誌応用物理に掲載されました.
2017.11.6
住友電気工業と石川准教授で共同研究「タイプ2量子井戸型中赤外光検出器用エピタキシャルウェハの研究開発」を開始しました.
 
2017.10.3
福田君のJSAPフォト&イラストコンテスト優秀賞受賞が 愛媛大学ホームページ トピックスでも紹介されました.
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所属
愛媛大学大学院理工学研究科
専攻
電気電子情報工学専攻
所在地
〒790-8577 愛媛県松山市文京町3番
工学部5号館7-8階、以下部屋番号
下村: 7-8
石川: 7-4
学生: 8-4
電話
下村: 089-927-9763
石川: 089-927-9765
E-mail
下村: shimomura@ee.ehime-u.ac.jp
石川: ishikawa@ee.ehime-u.ac.jp
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